Toshiba Mula Menghantar Sampel Ujian 1200V Trench-Gate SiC MOSFET yang akan Meningkatkan Kecekapan dalam Pusat Data AI Generasi Baharu
Released on: Friday, 22 May 2026 5:47PM
Toshiba: TW007D120E, a 1200V trench-gate SiC MOSFET.
KAWASAKI, Jepun, 22 Mei (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") hari ini telah mula menghantar sampel ujian “TW007D120E”, iaitu 1200V trench-gate SiC MOSFET yang direka terutamanya untuk sistem bekalan kuasa dalam pusat data AI generasi baharu, dan juga sesuai digunakan dalam peralatan berkaitan tenaga boleh diperbaharui.
Dengan perkembangan pesat AI generatif, peningkatan penggunaan tenaga telah menjadi isu mendesak bagi pusat data. Khususnya, penggunaan meluas pelayan AI berkuasa tinggi serta peningkatan pelaksanaan seni bina arus terus voltan tinggi (HVDC) 800V mendorong permintaan terhadap sistem bekalan kuasa yang mempunyai kecekapan penukaran kuasa dan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi. Toshiba telah memenuhi keperluan ini bagi pusat data AI generasi baharu dengan membangunkan TW007D120E, yang akan membantu mengurangkan penggunaan tenaga serta menyumbang kepada pengecilan saiz dan peningkatan kecekapan sistem bekalan kuasa.
TW007D120E dibangunkan berasaskan struktur trench-gate proprietari milik Toshiba[1] , yang mencapai[2] rintangan arus Hidup per unit keluasan (RDS(on) A) rendah yang terkemuka dalam industri; ia mengurangkan kehilangan pengaliran menerusi rintangan arus Hidup yang lebih rendah dan pada masa sama mencapai kehilangan pensuisan yang lebih rendah. Berbanding dengan produk semasa Toshiba, TW007D120E mengurangkan RDS(on) A sebanyak kira-kira 58%[3] serta meningkatkan figure of merit, rintangan arus Hidup × cas gerbang-saliran (RDS(on) × Qgd ), yang mewakili timbal balik antara kehilangan pengaliran dan kehilangan pensuisan, sebanyak kira-kira 52%[3] . Ciri-ciri ini akan membantu merealisasikan operasi berkecekapan tinggi dan pengurangan penjanaan haba dalam sistem bekalan kuasa pusat data, seterusnya menyumbang kepada peningkatan kecekapan keseluruhan sistem.
Produk baharu ini dipasang dalam pakej QDPAK yang menyokong penyejukan bahagian atas. Ini menyumbang kepada pelaksanaan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi serta prestasi terma yang dipertingkatkan pada peringkat kuasa, yang penting bagi penukaran kuasa dalam pusat data AI generasi baharu.
Toshiba akan membuat persediaan bagi pengeluaran besar-besaran TW007D120E pada tahun fiskal 2026 dan akan terus memperluaskan rangkaian produknya, termasuk pembangunan untuk aplikasi automotif. Menerusi trench-gate SiC MOSFET, syarikat itu akan menyumbang kepada peningkatan kecekapan kuasa serta pengurangan pelepasan CO₂ dalam pusat data dan pelbagai jenis peralatan industri, dengan ini menyokong usaha untuk merealisasikan masyarakat nyahkarbon.
TW007D120E dibangunkan berdasarkan keputusan yang diperoleh daripada JPNP21029, sebuah projek yang mendapat subsidi daripada New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).
Nota:
[1] Struktur peranti yang membentuk parit halus pada substrat semikonduktor dan elektrod gerbang dipasang dalam parit tersebut.
[2] Berdasarkan penyelidikan Toshiba, setakat Mei 2026.
[3] Perbandingan 1200V SiC MOSFET yang baru dibangunkan dengan SiC MOSFET generasi ketiga Toshiba (TW015Z120C). Berdasarkan penyelidikan Toshiba setakat Mei 2026.
Aplikasi
· Bekalan kuasa untuk pusat data (AC-DC, DC-DC)
· Penyongsang fotovoltaik
· Bekalan kuasa tanpa gangguan (UPS)
· Stesen pengecasan EV
· Sistem storan tenaga
· Motor industri
Ciri-ciri
· Rintangan arus Hidup rendah dan RDS(on) rendah A rendah
· Kehilangan pensuisan rendah dan RDS(on) × Qgd rendah
· Voltan pemacu gerbang rendah: VGS_ON =15V hingga 18V
· Pakej QDPAK berprestasi termal tinggi
Dengan perkembangan pesat AI generatif, peningkatan penggunaan tenaga telah menjadi isu mendesak bagi pusat data. Khususnya, penggunaan meluas pelayan AI berkuasa tinggi serta peningkatan pelaksanaan seni bina arus terus voltan tinggi (HVDC) 800V mendorong permintaan terhadap sistem bekalan kuasa yang mempunyai kecekapan penukaran kuasa dan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi. Toshiba telah memenuhi keperluan ini bagi pusat data AI generasi baharu dengan membangunkan TW007D120E, yang akan membantu mengurangkan penggunaan tenaga serta menyumbang kepada pengecilan saiz dan peningkatan kecekapan sistem bekalan kuasa.
TW007D120E dibangunkan berasaskan struktur trench-gate proprietari milik Toshiba[1] , yang mencapai[2] rintangan arus Hidup per unit keluasan (RDS(on) A) rendah yang terkemuka dalam industri; ia mengurangkan kehilangan pengaliran menerusi rintangan arus Hidup yang lebih rendah dan pada masa sama mencapai kehilangan pensuisan yang lebih rendah. Berbanding dengan produk semasa Toshiba, TW007D120E mengurangkan RDS(on) A sebanyak kira-kira 58%[3] serta meningkatkan figure of merit, rintangan arus Hidup × cas gerbang-saliran (RDS(on) × Qgd ), yang mewakili timbal balik antara kehilangan pengaliran dan kehilangan pensuisan, sebanyak kira-kira 52%[3] . Ciri-ciri ini akan membantu merealisasikan operasi berkecekapan tinggi dan pengurangan penjanaan haba dalam sistem bekalan kuasa pusat data, seterusnya menyumbang kepada peningkatan kecekapan keseluruhan sistem.
Produk baharu ini dipasang dalam pakej QDPAK yang menyokong penyejukan bahagian atas. Ini menyumbang kepada pelaksanaan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi serta prestasi terma yang dipertingkatkan pada peringkat kuasa, yang penting bagi penukaran kuasa dalam pusat data AI generasi baharu.
Toshiba akan membuat persediaan bagi pengeluaran besar-besaran TW007D120E pada tahun fiskal 2026 dan akan terus memperluaskan rangkaian produknya, termasuk pembangunan untuk aplikasi automotif. Menerusi trench-gate SiC MOSFET, syarikat itu akan menyumbang kepada peningkatan kecekapan kuasa serta pengurangan pelepasan CO₂ dalam pusat data dan pelbagai jenis peralatan industri, dengan ini menyokong usaha untuk merealisasikan masyarakat nyahkarbon.
TW007D120E dibangunkan berdasarkan keputusan yang diperoleh daripada JPNP21029, sebuah projek yang mendapat subsidi daripada New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).
Nota:
[1] Struktur peranti yang membentuk parit halus pada substrat semikonduktor dan elektrod gerbang dipasang dalam parit tersebut.
[2] Berdasarkan penyelidikan Toshiba, setakat Mei 2026.
[3] Perbandingan 1200V SiC MOSFET yang baru dibangunkan dengan SiC MOSFET generasi ketiga Toshiba (TW015Z120C). Berdasarkan penyelidikan Toshiba setakat Mei 2026.
Aplikasi
· Bekalan kuasa untuk pusat data (AC-DC, DC-DC)
· Penyongsang fotovoltaik
· Bekalan kuasa tanpa gangguan (UPS)
· Stesen pengecasan EV
· Sistem storan tenaga
· Motor industri
Ciri-ciri
· Rintangan arus Hidup rendah dan RDS(on) rendah A rendah
· Kehilangan pensuisan rendah dan RDS(on) × Qgd rendah
· Voltan pemacu gerbang rendah: VGS_ON =15V hingga 18V
· Pakej QDPAK berprestasi termal tinggi
Spesifikasi Utama
| (Melainkan dinyatakan sebaliknya, Tvj =25°C) | ||||
| Nombor komponen | TW007D120E | |||
| Pakej | Nama | QDPAK | ||
| Penarafan maksimum mutlak | Voltan sumber saliran VDSS (V) | 1200 | ||
| Arus saliran (DC) ID (A) | Tc =25°C | 172 | ||
| Electrical characteristics | Rintangan arus Hidup sumber aliran RDS(on) (mΩ) | VGS =15V | Typ. | 7.0 |
| Voltan ambang gerbang Vth (V) | VDS =10V | 3.0 hingga 5.0 | ||
| Jumlah cas gerbang Qg (nC) | VGS =15V | Typ. | 317 | |
| Cas aliran gerbang Qgd (nC) | VGS =15V | Typ. | 33 | |
| Kapasitans input Ciss (pF) | VDS =800V | Typ. | 13972 | |
| Voltan hadapan diod VSD (V) | VGS =0V | Typ. | 3.2 | |
| Nota: Spesifikasi dan jadual untuk produk yang sedang dibangunkan tertakluk kepada perubahan tanpa notis. | ||||
Ikut pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai Peranti Kuasa SiC Toshiba.
Peranti Kuasa SiC
* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan milik syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan serta maklumat perhubungan, adalah tepat pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.
Maklumat tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan yang canggih, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan semikonduktor diskret, sistem LSI, dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan rakan perniagaan.
Sebanyak 17,400 pekerjanya di seluruh dunia berkongsi tekad untuk memaksimumkan nilai produk serta menggalakkan kerjasama erat dengan pelanggan dalam penciptaan bersama nilai dan pasaran baharu. Syarikat ini menantikan usaha untuk membina dan menyumbang kepada masa depan yang lebih baik untuk masyarakat di seluruh dunia.
Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.
Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada:
https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en
Contacts
Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa & Isyarat Kecil
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami
Pertanyaan Media:
C. Nagasawa
Jabatan Komunikasi & Risikan Pasaran
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
--BERNAMA