Kioxia Memperkenalkan Peranti Memori Kilat Terbenam QLC UFS 4.1 untuk Storan Mudah Alih Berkapasiti Tinggi

^{Peranti Memori Kilat Terbenam QLC UFS 4.1}


Teknologi BiCS FLASH™ Generasi ke-8 Menawarkan Peningkatan Prestasi dan Kecekapan
 
TOKYO, 30 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Kioxia Corporation, peneraju global dalam penyelesaian memori, hari ini mengumumkan bahawa ia telah memulakan penghantaran sampel peranti memori terbenam Storan Kilat Sejagat¹ (UFS) Ver. 4.1 baharu yang menggunakan teknologi empat bit setiap sel, iaitu Quadruple-Level Cell (QLC). Direka khusus untuk aplikasi berintensifkan bacaan serta keperluan storan berkapasiti tinggi, peranti baharu ini dikuasakan oleh teknologi memori kilat 3D BiCS FLASH^TM generasi ke-8 Kioxia.

QLC UFS menawarkan ketumpatan bit yang lebih tinggi berbanding UFS TLC konvensional, sekali gus menjadikannya sesuai untuk aplikasi mudah alih yang memerlukan kapasiti storan lebih besar. Kemajuan dalam teknologi pengawal dan pembetulan ralat telah membolehkan teknologi QLC mencapai kelebihan ini sambil mengekalkan prestasi yang kompetitif.

Berdasarkan kemajuan tersebut, peranti baharu Kioxia ini mencapai peningkatan prestasi yang ketara². QLC UFS Kioxia mencatat peningkatan kelajuan tulis berjujukan sebanyak 25%, kelajuan baca rawak sebanyak 90%, dan kelajuan tulis rawak sebanyak 95% berbanding generasi sebelumnya (UFS 4.0 / BiCS FLASH™ generasi ke-6 QLC UFS)³. Faktor Penguatan Tulis (Write Amplification Factor, WAF) turut dipertingkatkan sehingga maksimum 3.5 kali (dengan WriteBooster dinyahaktifkan).

Sangat sesuai untuk telefon pintar dan tablet, QLC UFS Kioxia juga menyokong kategori produk baharu yang memerlukan kapasiti dan prestasi lebih tinggi, termasuk PC, rangkaian, AR/VR, IoT serta peranti berkeupayaan AI.

Ditawarkan dalam kapasiti 512 gigabait (GB) dan 1 terabait (TB), peranti UFS 4.1 baharu ini menggabungkan memori kilat 3D BiCS FLASH™ termaju Kioxia bersama pengawal bersepadu dalam pakej piawaian JEDEC. Teknologi memori kilat 3D BiCS FLASH™ generasi ke-8 Kioxia turut memperkenalkan teknologi CMOS Terikat terus kepada Tatasusunan (CBA), satu inovasi seni bina yang menandakan lonjakan besar dalam reka bentuk memori kilat.
 
Ciri-ciri utama termasuk:
· Mematuhi spesifikasi UFS 4.1. UFS 4.1 serasi ke belakang dengan UFS 4.0 dan UFS 3.1.
· Memori kilat 3D BiCS FLASH™ generasi ke-8 Kioxia
· Sokongan WriteBooster untuk kelajuan penulisan yang jauh lebih pantas
· Saiz pakej yang lebih kecil berbanding QLC UFS generasi sebelumnya: 11 × 13 mm kepada 9 × 13 mm

 Pautan Berkaitan:
 Halaman Produk UFS 4.1 Kioxia

- Dalam setiap sebutan produk Kioxia: Ketumpatan produk dikenal pasti berdasarkan ketumpatan cip memori dalam Produk, dan bukannya jumlah kapasiti memori yang boleh digunakan untuk penyimpanan data oleh pengguna akhir. Kapasiti yang boleh digunakan oleh pengguna adalah lebih rendah disebabkan oleh kawasan data overhed, pemformatan, blok rosak serta kekangan lain, dan juga boleh berbeza mengikut peranti hos dan aplikasi. Untuk maklumat lanjut, sila rujuk spesifikasi produk yang berkaitan. Takrifan 1KB = 2^10 bait = 1,024 bait. Takrifan 1Gb = 2^30 bit = 1,073,741,824 bit. Takrifan 1GB = 2^30 bait = 1,073,741,824 bait. 1Tb = 2^40 bit = 1,099,511,627,776 bit.

- 1 Gbps dikira sebagai 1,000,000,000 bit/saat. Kelajuan baca dan tulis merupakan nilai terbaik yang diperoleh dalam persekitaran ujian tertentu di Kioxia, dan Kioxia tidak menjamin kelajuan baca atau tulis bagi setiap peranti individu. Kelajuan baca dan tulis mungkin berbeza bergantung pada peranti yang digunakan serta saiz fail yang dibaca atau ditulis.

- Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan milik syarikat pihak ketiga.

Maklumat tentang Kioxia

Kioxia merupakan peneraju global dalam penyelesaian memori, yang berdedikasi kepada pembangunan, pengeluaran dan penjualan memori kilat serta pemacu keadaan pepejal (SSD). Pada April 2017, syarikat pendahulunya, Toshiba Memory, dipisahkan daripada Toshiba Corporation, syarikat yang mencipta memori NAND flash pada tahun 1987. Kioxia komited untuk memperkasa dunia melalui “memori” dengan menawarkan produk, perkhidmatan dan sistem yang memberikan pilihan kepada pelanggan serta nilai berasaskan memori untuk masyarakat. Teknologi memori kilat 3D inovatif Kioxia, BiCS FLASH™, sedang membentuk masa depan storan bagi aplikasi berketumpatan tinggi, termasuk telefon pintar canggih, PC, sistem automotif, pusat data dan sistem AI generatif.

*Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan serta maklumat hubungan, adalah tepat pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada: https://www.businesswire.com/news/home/20260127840829/en

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.
 
Hubungi

Pertanyaan Media:
Kioxia Corporation
Bahagian Pengurusan Promosi
Satoshi Shindo
Tel: +81-3-6478-2404
 
Sumber: Kioxia Corporation

--BERNAMA