Toshiba Lancarkan MOSFET Kuasa N-Saluran 100V dengan Teknologi Proses Generasi Terbaharu⁽¹⁾ untuk Meningkatkan Kecekapan dalam Bekalan Kuasa Mod-Bertukar bagi Peralatan Industri

^{Toshiba: TPH2R70AR5, MOSFET kuasa N-Saluran 100V dengan teknologi proses generasi terbaharu}


KAWASAKI, Jepun, 26 Sept (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan “ TPH2R70AR5,” sebuah MOSFET kuasa N-saluran 100V yang dibangunkan menggunakan U-MOS11-H, teknologi proses generasi terbaharu Toshiba^[1]. MOSFET ini disasarkan untuk aplikasi seperti bekalan kuasa mod-bertukar bagi peralatan industri yang digunakan dalam pusat data dan stesen asas komunikasi. Penghantaran produk bermula hari ini.

Siri 100V U-MOS11-H menawarkan peningkatan dari segi rintangan-On terminal pengalir-terminal pembekal (R_DS(ON) ), Cas get keseluruhan (Q_g ) dan keseimbangan antara keduanya (R_DS(ON) × Q_g ) berbanding proses generasi sedia ada Toshiba, iaitu siri U-MOSX-H, sekaligus mengurangkan kedua-dua kehilangan kuasa semasa penghantaran dan penukaran.

TPH2R70AR5 menawarkan kira-kira 8% pengurangan R_DS(ON) dan 37% pengurangan Q_g berbanding TPH3R10AQM, produk siri U-MOSX-H, serta peningkatan 42% dalam R_DS(ON) × Q_g. MOSFET ini juga mencapai prestasi dioda badan berkelajuan tinggi melalui penggunaan teknologi kawalan jangka hayat^[2], yang mengurangkan cas pemulihan songsang (Q_rr ) dan menahan voltan lonjakan. Q_rr diperbaiki kira-kira 38%, manakala R_DS(ON) × Q_rr juga bertambah baik kira-kira 43%. Ciri perdagangan prestasi^[4] terkemuka industri ini^[3], baik R_DS(ON) × Q_g dan R_DS(ON) × Q_rr, meminimumkan kehilangan kuasa, menyumbang kepada kecekapan dan ketumpatan kuasa lebih tinggi dalam sistem bekalan kuasa. MOSFET ini juga menggunakan pakej SOP Advance (N) dan menawarkan keserasian pemasangan yang cemerlang mengikut piawaian industri.

Toshiba turut menyediakan alat sokongan reka bentuk litar: Model G0 SPICE, yang membolehkan pengesahan fungsi litar dalam masa singkat. Model G2 SPICE yang sangat tepat, mampu menyalin dengan tepat ciri transien litar. Kesemuanya kini tersedia.

Toshiba akan terus memperluaskan rangkaian MOSFET kehilangan rendah, yang membolehkan bekalan kuasa lebih cekap dan menyumbang kepada pengurangan penggunaan kuasa peralatan.

Nota:
[1] Sehingga September 2025, antara teknologi proses Toshiba untuk MOSFET kuasa voltan rendah. Kajian Toshiba.
[2] Teknologi kawalan jangka hayat: Memendekkan jangka hayat pembawa secara sengaja dengan menggunakan sinar ion untuk memperkenalkan kecacatan ke dalam semikonduktor, meningkatkan kelajuan penukaran, memperbaiki kelajuan pemulihan diod dan mengurangkan bunyi elektrik.
[3] Sehingga September 2025, perbandingan dengan MOSFET kuasa N-Saluran 100V lain untuk peralatan industri. Kajian Toshiba.
[4] R_DS(ON) ×Q_g : 120mΩ・nC (tip), R_DS(ON) ・Q_rr : 127mΩ×nC (tip)

Aplikasi

• Bekalan kuasa untuk peralatan industri yang digunakan dalam pusat data dan stesen asas komunikasi
• Bekalan kuasa mod-bertukar (penukar DC-DC berkecekapan tinggi, dan lain-lain)
   

Ciri-ciri

• Rintangan-On terminal pengalir-terminal pembekal rendah: R_DS(ON) ＝2.7mΩ (maks) (V_GS =10V, I_D =50A, T_a ＝25°C)
• Cas get keseluruhan rendah: Q_g =52nC (tip.) (V_DD =50V, V_GS =10V, I_D =50A, T_a ＝25°C)
• Cas pemulihan songsang rendah: Q_rr =55nC (tip.) (I_DR ＝50A, V_GS =0V, -dI_DR /dt=100A/μs, T_a ＝25°C)

 Spesifikasi Utama

(Kecuali dinyatakan sebaliknya, Ta =25°C)
Nombor bahagian				TPH2R70AR5
Penarafan  maksimum  mutlak	Voltan terminal pengalir-terminal pembekal VDSS (V)			100
	Arus terminal pengalir (DC) ID (A)		Tc =25°C	190
	Suhu saluran Tch (°C)			175
Ciri-ciri  elektrik	Rintangan-On  terminal pengalir-terminal pembekal  RDS(ON) (mΩ)	VGS =10V, ID =50A	Maks.	2.7
		VGS =8V, ID ＝50A	Maks.	3.6
	Cas get keseluruhan  Qg (nC)	VDD =50V, VGS =10V,  ID =50A	Tip.	52
	Cas suis  get Qsw (nC)		Tip.	17
	Cas output Q oss  (nC)	VDD =50V, VGS =0V,  f=1MHz	Tip.	106
	Kapasitans input  Ciss (pF)	VDS =50V, VGS =0V,  f=1MHz	Tip.	4105
	Cas pemulihan  songsang Qrr (nC)	IDR ＝50A, VGS =0V,  -dIDR /dt=100A/μs	Tip.	55
Bungkusan	Nama			Lanjutan SOP(N)
	Saiz (mm)		Tip.	5.15×6.1
Semakan & Ketersediaan Contoh				Beli Dalam Talian

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang produk baharu.
TPH2R70AR5

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang MOSFET Toshiba.
MOSFETs

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang model SPICE yang sangat tepat (model G2).
Model G2

Untuk menyemak ketersediaan produk baharu di pengedar dalam talian, lawati:
TPH2R70AR5
Beli Dalam Talian

* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga produk dan spesifikasi, kandungan perkhidmatan serta maklumat hubungan, adalah terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Maklumat tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan yang canggih, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan semikonduktor diskret, sistem LSI, dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan rakan perniagaan.

Dengan 19,400 pekerja di seluruh dunia, syarikat ini berkongsi tekad untuk memaksimumkan nilai produk, serta mempromosikan kerjasama rapat dengan pelanggan dalam penciptaan nilai dan pasaran baharu. Syarikat ini berharap dapat membina dan memberi sumbangan kepada masa depan yang lebih baik untuk semua.

Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada: https://www.businesswire.com/news/home/20250924029500/en

Hubungi
Pertanyaan Pelanggan:
Jab. Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa & Isyarat Kecil
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media:
C. Nagasawa
Jab. Komunikasi & Risikan Pasaran
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
 
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

--BERNAMA