Toshiba Lancar MOSFET SiC Generasi ke-3 650V dalam Pakej TOLL
Released on: Tuesday, 02 Sep 2025 10:11AM
Toshiba: MOSFET SiC Generasi ke-3 650V dalam pakej TOLL.
- Tiga peranti baharu tingkatkan kecekapan dan ketumpatan kuasa peralatan industri -
KAWASAKI, Jepun, 2 Sept (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan tiga MOSFET silikon karbida (SiC) 650V yang dilengkapi cip[1] MOSFET SiC Generasi ke-3 terbaharunya dan dibungkus dalam pakej TOLL jenis lekap permukaan. Peranti baharu ini sesuai untuk peralatan industri seperti bekalan kuasa mod pensuisan dan penyaman kuasa bagi penjana fotovolta. Penghantaran pukal untuk MOSFET, “ TW027U65C,” “ TW048U65C,” dan “ TW083U65C,” bermula hari ini.
Produk baharu ini merupakan MOSFET SiC Generasi ke-3 Toshiba dalam pakej TOLL jenis lekap permukaan serbaguna, yang mampu mengurangkan isipadu peranti lebih 80% berbanding pakej through-hole seperti TO-247 dan TO-247-4L(X), sekali gus meningkatkan ketumpatan kuasa peralatan.
Pakej TOLL juga menawarkan impedans parasit[2] yang lebih rendah berbanding pakej melalui lubang, membantu mengurangkan kehilangan pensuisan. Sebagai pakej 4-terminal[3], sambungan Kelvin boleh digunakan sebagai terminal sumber isyarat untuk pemacu get. Ini mengurangkan pengaruh induktans dalam wayar sumber di dalam pakej, membolehkan prestasi pensuisan berkelajuan tinggi; bagi TW048U65C, kehilangan masa dihidupkan dan masa dimatikan masing-masing adalah kira-kira 55% dan 25%[4] lebih rendah berbanding produk Toshiba sedia ada[5] , yang akan menyumbang kepada pengurangan kehilangan kuasa peralatan.
Toshiba akan terus memperluas barisan produknya bagi menyumbang kepada peningkatan kecekapan peralatan dan peningkatan kapasiti kuasa.
| Barisan pakej MOSFET SiC Generasi ke-3 | |
| Jenis | Pakej |
| Jenis melalui lubang | TO-247 |
| TO-247-4L(X) | |
| Jenis lekap permukaan | DFN8×8 |
| TOLL | |
Catatan:
[1] Sehingga Ogos 2025.
[2] Rintangan, induktansi, dsb.
[3] Produk dengan terminal sumber isyarat yang disambungkan berdekatan dengan cip FET.
[4] Sehingga Ogos 2025, nilai diukur oleh Toshiba. Untuk maklumat lanjut, sila rujuk Rajah 1 dalam versi siaran ini di laman web Toshiba.
[5] MOSFET SiC Generasi ke-3 650V dengan voltan dan rintangan On yang setara, menggunakan pakej TO-247 tanpa sambungan Kelvin.
Aplikasi
- Bekalan kuasa mod pensuisan dalam pelayan, pusat data, peralatan komunikasi, dan lain-lain.
- Stesen pengecasan EV
- Inverter fotovolta
- Bekalan kuasa tanpa gangguan
Ciri-ciri
- Pakej TOLL jenis lekap permukaan: Membolehkan pengecilan saiz peralatan dan pemasangan automatik. Kehilangan pensuisan yang rendah.
- MOSFET SiC Generasi ke-3 Toshiba:
- Pengoptimuman nisbah rintangan drift dan rintangan saluran merealisasikan kebergantungan suhu yang baik bagi rintangan On saluran-sumber.
- Rintangan On saluran-sumber×cas get-salur yang rendah
- Voltan hadapan diod yang rendah: VDSF =-1.35V(tipikal) (VGS =-5V)
| Spesifikasi Utama | ||||||
| (Melainkan dinyatakan sebaliknya, Ta =25℃) | ||||||
| Nombor bahagian | TW027U65C | TW048U65C | TW083U65C | |||
| Packej | Nama | TOLL | ||||
| Saiz (mm) | Tipikal | 9.9×11.68×2.3 | ||||
| Penarafan maksimum mutlak | Voltan saluran-sumber VDSS (V) | 650 | ||||
| Voltan get-sumber VGSS (V) | -10 hingga 25 | |||||
| Arus saluran (DC) ID (A) | Tc =25°C | 57 | 39 | 28 | ||
| Ciri-ciri Elektrik | Rintangan On saluran-sumber RDS(ON) (mΩ) | VGS =18V | Tipikal | 27 | 48 | 83 |
| Voltan ambang get Vth (V) | VDS =10V | 3.0 hingga 5.0 | ||||
| Jumlah cas get Qg (nC) | VGS =18V | Tipikal | 65 | 41 | 28 | |
| Cas get-saluran Qgd (nC) | VGS =18V | Tipikal | 10 | 6.2 | 3.9 | |
| Kapasitans input Ciss (pF) | VDS =400V | Tipikal | 2288 | 1362 | 873 | |
| Voltan hadapan diod VDSF (V) | VGS =-5V | Tipikal | -1.35 | |||
| Semakan Sampel & Ketersediaan | Beli Dalam Talian | Beli Dalam Talian | Beli Dalam Talian | |||
Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang produk baharu.
TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C
Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang Peranti Kuasa SiC Toshiba.
Peranti Kuasa SiC
Untuk menyemak ketersediaan produk baharu di pengedar dalam talian, lawati:
TW027U65C
Beli Dalam Talian
TW048U65C
Beli Dalam Talian
TW083U65C
Beli Dalam Talian
* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan milik syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan serta maklumat hubungan, adalah terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.
Maklumat tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan yang canggih, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan semikonduktor diskret, sistem LSI, dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan rakan perniagaan.
Dengan 19,400 pekerja di seluruh dunia, syarikat ini berkongsi tekad untuk memaksimumkan nilai produk, serta mempromosikan kerjasama rapat dengan pelanggan dalam penciptaan nilai dan pasaran baharu. Syarikat ini berharap dapat membina dan memberi sumbangan kepada masa depan yang lebih baik untuk semua.
Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.
Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada: https://www.businesswire.com/news/home/20250827523831/en
Hubungi:
Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa & Isyarat Kecil
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami
Pertanyaan Media:
C. Nagasawa
Jabatan Risikan Komunikasi & Pasaran
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
--BERNAMA