Toshiba Lancar SiC MOSFET Generasi Ketiga 650V dalam Pakej DFN8x8

^{Toshiba: SiC MOSFET 650V generasi ke-3 dalam pakej DFN8x8}



- Empat peranti baharu tingkatkan kecekapan dan ketumpatan kuasa peralatan industri -

KAWASAKI, Jepun, 21 Mei (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan empat MOSFET silikon karbida (SiC) 650V, yang dilengkapi dengan cip^[¹^] SiC MOSFET Generasi Ketiga terbaharunya dan dibungkus dalam pakej padat DFN8x8. Peranti ini sesuai untuk peralatan industri seperti bekalan kuasa mod suis dan penyaman kuasa bagi penjana fotovolta. Penghantaran volum bagi keempat-empat peranti, " TW031V65C,” “ TW054V65C,” “ TW092V65C,” dan “ TW123V65C,” bermula hari ini.

Produk baharu ini merupakan SiC MOSFET Generasi Ketiga pertama yang menggunakan pakej pemasangan permukaan bersaiz kecil DFN8x8, yang mengurangkan isipadu lebih daripada 90% berbanding pakej jenis penyisipan plumbum seperti TO-247 dan TO-247-4L(X), sekali gus meningkatkan ketumpatan kuasa peralatan. Pemasangan permukaan juga membolehkan penggunaan komponen impedans parasit^[²^] yang lebih kecil berbanding pakej penyisipan plumbum, seterusnya mengurangkan kehilangan pensuisan. DFN8x8 ialah pakej 4-pin^[³^] yang membolehkan penggunaan sambungan Kelvin pada terminal sumber isyarat untuk pemacu gerbang. Ini mengurangkan pengaruh induktans dalam wayar sumber di dalam pakej, lalu mencapai prestasi pensuisan berkelajuan tinggi. Bagi model TW054V65C, ini mengurangkan kehilangan semasa penghidupan kira-kira 55% dan kehilangan semasa penutupan kira-kira 25%^[⁴^] berbanding produk Toshiba sedia ada^[⁵^] , sekali gus membantu mengurangkan kehilangan kuasa dalam peralatan.

Toshiba akan terus mengembangkan barisan produknya bagi menyumbang kepada peningkatan kecekapan peralatan dan kapasiti kuasa yang lebih tinggi.

 Nota:
 [¹] Setakat Mei 2025.
 [²] Rintangan, induktans dan sebagainya.
 [³] Produk dengan pin sumber isyarat yang disambung rapat dengan cip FET.
 [⁴] Setakat Mei 2025, nilai diukur oleh Toshiba. Untuk maklumat lanjut, sila rujuk Rajah 1 dalam versi siaran ini di laman web Toshiba.
 [⁵] SiC MOSFET 650V Generasi Ketiga dengan voltan dan rintangan hidup setara yang menggunakan pakej TO-247 tanpa sambungan Kelvin.

Aplikasi

• Bekalan kuasa mod suis dalam pelayan, pusat data, peralatan komunikasi dan lain-lain
• Stesen pengecasan kenderaan elektrik (EV)
• Penyongsang fotovoltan
• Bekalan kuasa tanpa gangguan (UPS)

Ciri-ciri

• Pakej pemasangan permukaan DFN8x8. Membolehkan pengecilan saiz peralatan dan pemasangan automatik. Kehilangan pensuisan yang rendah.
• SiC MOSFET Generasi Ketiga daripada Toshiba
• Ketergantungan suhu yang baik bagi rintangan hidup salur-ke-salur melalui pengoptimuman nisbah rintangan hanyutan dan rintangan saluran
• Rintangan hidup salur-ke-salur x cas gerbang-ke-salur yang rendah
• Voltan ke hadapan diod yang rendah: V_DSF =-1.35V(tip.) (V_GS =-5V)

 Spesifikasi Utama

				(Melainkan dinyatakan sebaliknya, Ta =25℃)
Nombor bahagian				TW031V65C	TW054V65C	TW092V65C	TW123V65C
Pakej	Nama			DFN8x8
	Saiz (mm)		Tip.	8.0×8.0×0.85
Penilaian maksimum mutlak	Voltan salur-ke-salur V DSS (V)			650
	Voltan get-ke-sumber VGSS (V)			-10 hingga 25
	Arus salur (DC) ID (A)	Tc =25°C		53	36	27	18
Ciri-ciri elektrik	Rintangan hidup salur-sumber RDS(ON) (mΩ)	VGS =18V	Tip.	31	54	92	123
	Voltan ambang get Vth (V)	VDS =10V		3.0 to 5.0
	Jumlah cas get Qg (nC)	VGS =18V	Tip.	65	41	28	21
	Cas get-salur Qgd (nC)	VGS =18V	Tip.	10	6.2	3.9	2.3
	Kapasitans input capacitance Ciss (pF)	VDS =400V	Tip.	2288	1362	873	600
	Voltan hadapan diod VDSF (V)	VGS =-5V	Tip.	-1.35
Semakan & Ketersediaan Contoh				Beli Dalam Talian	Beli Dalam Talian	Beli Dalam Talian	Beli Dalam Talian

Pautan berkaitan
Ciri-ciri SiC MOSFET generasi ketiga
Soalan Lazim berkenaan SiC MOSFET
Perbandingan SiC MOSFET dan Si IGBT
Penilaian Maksimum Mutlak dan Ciri Elektrik SiC MOSFET

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang produk baharu.

TW031V65C
TW054V65C
TW092V65C
TW123V65C

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang Peranti Kuasa SiC Toshiba.
Peranti Kuasa SiC

Untuk menyemak ketersediaan produk baharu di pengedar dalam talian, lawati:
TW031V65C
Beli Dalam Talian

TW054V65C
Beli Dalam Talian

TW092V65C
Beli Dalam Talian

TW123V65C
Beli Dalam Talian

 * Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan syarikat masing-masing.
 * Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga produk dan spesifikasi, kandungan perkhidmatan serta maklumat hubungan, adalah terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Maklumat tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, peneraju penyedia penyelesaian semikonduktor dan storan yang canggih, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan pelanggan dan rakan perniagaannya semikonduktor diskret, LSI sistem dan produk HDD yang luar biasa.

Dengan 19,400 pekerja di seluruh dunia, syarikat ini berkongsi tekad untuk memaksimumkan nilai produk, serta mempromosikan kerjasama rapat dengan pelanggan dalam penciptaan nilai dan pasaran baharu. Syarikat ini berharap dapat membina dan memberi sumbangan kepada masa depan yang lebih baik untuk semua.

Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada:
https://www.businesswire.com/news/home/20250519603867/en

Hubungi

Pertanyaan Pelanggan
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa & Isyarat Kecil
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media
Chiaki Nagasawa
Jabatan Pemasaran Digital
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
 
 Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

--BERNAMA