Toshiba Melancarkan Modul SiC MOSFET 3300V dengan Keupayaan Arus Lonjakan Tinggi yang Membantu Meningkatkan Kebolehpercayaan Peralatan Industri

^{Toshiba: IX800FXF2YMS4, modul SiC MOSFET dwiguna 3300V, 800A dengan keupayaan I²t 300kA²s untuk peralatan industri.}


KAWASAKI, Jepun, 25 Sept (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah meluaskan rangkaian produknya dengan melancarkan "IX800FXF2YMS4," sebuah modul SiC MOSFET dwiguna bagi peralatan industri, termasuk kenderaan kereta api, sistem pengeluaran tenaga boleh baharu, dan sistem penukaran kuasa. Modul baharu ini menampilkan cip SiC MOSFET generasi ketiga Toshiba, penarafan voltan longkang-sumber 3300V, dan penarafan arus longkang (DC) 800A. Spesifikasinya menyatakan nilai had I² t pada bahagian diod, yang merupakan petunjuk bagi keupayaan arus lonjakan.

Pengeluar peralatan industri, termasuk pembalik dan penukar daya tarikan kereta api, sistem pengeluaran tenaga boleh baharu, serta peralatan kawalan motor industri, perlu sentiasa memenuhi permintaan yang kian meningkat bagi kecekapan lebih tinggi, saiz lebih kecil, dan kebolehpercayaan yang dipertingkatkan. Dalam sistem-sistem ini, arus lonjakan besar yang boleh mengalir menerusi modul semikonduktor kuasa semasa keadaan tidak normal perlu ditangani dengan keupayaan arus lonjakan yang mencukupi.

IX800FXF2YMS4 mempunyai reka bentuk cip SiC yang dioptimumkan dan menyampaikan ciri I² t sebanyak 300kA² s^[1], iaitu petunjuk bagi keupayaan arus lonjakan pada bahagian diod semasa keadaan tidak normal.

Modul ini mempunyai voltan-hidup longkang-sumber (penderia) (V_DS(on)sense ) sebanyak 1.4V (tipikal)^[2], yang membantu mengurangkan kerugian kekonduksian. Kerugian penyuisan dihidupkan (E_on ) sebanyak 185mJ (tipikal)^[3] dan kerugian penyuisan dimatikan (E_off ) sebanyak 175mJ (tipikal)^[3] membantu mengurangkan kerugian penyuisan. Ciri-ciri ini menyumbang kepada peningkatan kebolehpercayaan dan kecekapan peralatan, serta sistem penyejukan yang lebih kecil.

Produk baharu ini mengguna pakai pembungkusan iXPLV™^[4], yang menawarkan keserasian pemasangan yang cemerlang. Ia menggunakan teknologi pemuatan pematerian perak bagi meningkatkan rintangan haba dan kebolehpercayaan bahagian yang terikat dengan cip SiC, sekali gus mencapai penarafan suhu saluran 175°C yang diperlukan bagi peralatan industri.

Penambahan baharu dalam rangkaian Toshiba ini menjadikan jumlah modul SiC MOSFET dalam pembungkusan iXPLV™ kepada empat, sekali gus meluaskan julat pilihan produk yang tersedia.

Toshiba akan terus meluaskan rangkaian modul SiC MOSFET bagi peralatan industri dan menyediakan pilihan produk yang lebih luas untuk memenuhi pelbagai spesifikasi dan aplikasi peralatan. Syarikat juga akan menyumbang kepada peralatan industri yang lebih boleh dipercayai, cekap, dan padat.

Nota:
[1] Keadaan ujian: T_ch(initial) =175°C, V_GS =-6V, gelombang separuh sinus 10ms 1denyut, F.R.=1%
[2] Keadaan ujian: I_D =800A, V_GS =+20V, T_ch =25°C
[3] Keadaan ujian: V_DD =1800V, I_D =800A, V_GS =+20V/-6V, C_gs =100nF, R_G(on) =1.2Ω, R_G(off) =1.2Ω, T_ch =175°C, L_S ≃70nH
[4] iXPLV^TM : Singkatan bagi intelligent fleXible Package Low Voltage

Aplikasi

Peralatan industri
· Pembalik dan penukar daya tarikan kereta api
· Sistem pengeluaran tenaga boleh baharu
· Sistem penukaran kuasa (pengubah keadaan pepejal (solid-state transformers atau SST)^[5] ; bekalan kuasa tanpa gangguan (UPS); sistem penyimpanan tenaga (ESS), dan lain-lain)
· Peralatan kawalan motor industri, dan lain-lain

Nota:
[5] SST: Transformer generasi baharu yang menggunakan semikonduktor kuasa untuk mencapai saiz padat, penukaran voltan berkecekapan tinggi, dan kawalan kuasa lanjutan.

Ciri-ciri
· Menyatakan penarafan nilai had I2t (Diod): I² t=300kA² s
· Voltan-hidup longkang-sumber (penderia) yang rendah: V_DS(on)sense =1.4V (tipikal)
· Kerugian penyuisan yang rendah: E_on =185mJ (tipikal), E_off =175mJ (tipikal)
· Penarafan suhu saluran: T_ch =175°C
· Mengguna pakai pembungkusan iXPLV^TM.

Spesifikasi Utama

(Tc =25°C, melainkan dinyatakan sebaliknya)
Nombor Bahagian				IX800FXF2YMS4
Pembungkusan		Nama		iXPLV™
		Saiz (mm)	Tip.	144×99.5×40
Penarafan  maksimum  mutlak	Voltan longkang-sumber VDSS (V)			3300
	Voltan gate-sumber VGSS (V)			+25/-10
	Arus longkang (DC) ID (A)			800
	Arus longkang (berdenyut) IDP (A)			1600
	Suhu saluran Tch (°C)			175
	Voltan pengasingan V isol  (Vrms)	AC, 60s		6000
	Nilai had I2t (Diod) I2 t  (kA2 s)	Tch(initial) =175°C, VGS =-6V,  gelombang separuh sinus 10ms 1denyut,  F.R.=1%		300
Ciri-ciri  Elektrik	Voltan-hidup longkang-sumber (penderia)  VDS(on)sense (V)	ID =800A, VGS =+20V,  Tch =25°C	Tip.	1.4
	Voltan-hidup sumber-longkang  VSD(on)sense (V)	IS =800A, VGS =+20V,  Tch =25°C	Tip.	1.4
	Voltan-mati sumber-longkang (penderia)  VSD(off)sense (V)	IS =800A, VGS =-6V,  Tch =25°C	Tip.	2.2
	Induktans terpesong LsPN (nH)	P terminal-N terminal	Tip.	12
	Kerugian penyuisan dihidupkan  Eon (mJ)	VDD =1800V, ID =800A,  VGS =+20V/-6V,  Cgs =100nF, RG(on) =1.2Ω,  RG(off) =1.2Ω, Tch =175°C,  LS ≃70nH	Tip.	185
	Kerugian penyuisan dimatikan  Eoff (mJ)		Tip.	175

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai produk baharu ini.
IX800FXF2YMS4

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai rangkaian peranti kuasa SiC Toshiba.
Peranti Kuasa SiC

* iXPLV™ ialah tanda dagangan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.
* Nama syarikat, nama produk, dan nama perkhidmatan lain mungkin merupakan tanda dagangan milik syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan, dan maklumat hubungan, adalah terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Maklumat tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan yang canggih, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan semikonduktor diskret, sistem LSI, dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan rakan perniagaan.

Sebanyak 17,400 pekerjanya di seluruh dunia berkongsi tekad untuk memaksimumkan nilai produk serta menggalakkan kerjasama erat dengan pelanggan dalam penciptaan bersama nilai dan pasaran baharu. Syarikat ini menantikan usaha untuk membina dan menyumbang kepada masa depan yang lebih baik untuk masyarakat di seluruh dunia.

Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada: https://www.businesswire.com/news/home/20260923706775/en

Hubungi

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Isyarat Kuasa & Kecil
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media:
C. Nagasawa
Jabatan Komunikasi & Perisikan Pasaran
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
 

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

--BERNAMA